#1 |
数量:12753 |
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最小起订金额:¥₩600 新加坡 当天发货,5-8个工作日送达. |
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#2 |
数量:712 |
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最小起订量:1 美国加州 当天发货,1-3个工作日送达. |
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#3 |
数量:6186 |
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最小起订金额:¥₩600 新加坡 当天发货,1-3个工作日送达. |
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规格书 |
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文档 |
Plating Material 20/Dec/2007 |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 150 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Standard |
漏极至源极电压(VDSS) | 75V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 80A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 4.7 mOhm @ 80A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 4V @ 250µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 138nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 6600pF @ 25V |
功率 - 最大 | 310W |
安装类型 | Through Hole |
包/盒 | TO-247-3 |
供应商器件封装 | TO-247 |
包装材料 | Tube |
包装 | 3TO-247 |
通道模式 | Enhancement |
最大漏源电压 | 75 V |
最大连续漏极电流 | 15 A |
RDS -于 | 4.7@10V mOhm |
最大门源电压 | ±20 V |
典型导通延迟时间 | 18 ns |
典型上升时间 | 88 ns |
典型关闭延迟时间 | 40 ns |
典型下降时间 | 45 ns |
工作温度 | -55 to 175 °C |
安装 | Through Hole |
标准包装 | Rail / Tube |
最大门源电压 | ±20 |
包装宽度 | 4.82 |
PCB | 3 |
最大功率耗散 | 310000 |
最大漏源电压 | 75 |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
最大漏源电阻 | 4.7@10V |
每个芯片的元件数 | 1 |
最低工作温度 | -55 |
供应商封装形式 | TO-247 |
标准包装名称 | TO-247 |
最高工作温度 | 175 |
渠道类型 | N |
包装长度 | 15.87 |
引脚数 | 3 |
包装高度 | 20.82 |
最大连续漏极电流 | 15 |
封装 | Tube |
标签 | Tab |
铅形状 | Through Hole |
FET特点 | Standard |
安装类型 | Through Hole |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 80A |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 4V @ 250µA |
漏极至源极电压(Vdss) | 75V |
供应商设备封装 | TO-247 |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 4.7 mOhm @ 80A, 10V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 310W |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 6600pF @ 25V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 138nC @ 10V |
封装/外壳 | TO-247-3 |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
工厂包装数量 | 30 |
晶体管极性 | N-Channel |
连续漏极电流 | 80 A |
封装/外壳 | TO-247 |
零件号别名 | FDH047AN08A0_NL |
下降时间 | 45 ns |
产品种类 | MOSFET |
单位重量 | 0.225401 oz |
配置 | Single |
最高工作温度 | + 175 C |
RoHS | RoHS Compliant |
源极击穿电压 | +/- 20 V |
系列 | FDH047AN08A0 |
RDS(ON) | 4.7 mOhms |
安装风格 | Through Hole |
功率耗散 | 310 W |
最低工作温度 | - 55 C |
上升时间 | 88 ns |
漏源击穿电压 | 75 V |
漏极电流(最大值) | 15 A |
频率(最大) | Not Required MHz |
栅源电压(最大值) | �20 V |
输出功率(最大) | Not Required W |
噪声系数 | Not Required dB |
漏源导通电阻 | 0.0047 ohm |
工作温度范围 | -55C to 175C |
包装类型 | TO-247 |
极性 | N |
类型 | Power MOSFET |
元件数 | 1 |
工作温度分类 | Military |
漏极效率 | Not Required % |
漏源导通电压 | 75 V |
功率增益 | Not Required dB |
弧度硬化 | No |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 75 V |
宽度 | 4.82 mm |
Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
通道数 | 1 Channel |
商品名 | PowerTrench |
晶体管类型 | 1 N-Channel |
Id - Continuous Drain Current | 80 A |
长度 | 15.87 mm |
Rds On - Drain-Source Resistance | 4.7 mOhms |
身高 | 20.82 mm |
Pd - Power Dissipation | 310 W |
技术 | Si |
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